此前，我們三易生活曾為大家揭示過半導體行業在“制程數字”上幾乎集體造假的行為，包括三星、臺積電，以及格羅方德（Global Foundries，也就是原AMD半導體部門）在內的幾家大廠，普遍都存在這一方面的問題。例如三星曾率先將改進版的20nm制程“取名”為14nm，開了個糟糕的先例；又比如說，格羅方德當初也曾在晶體管密度沒有任何增長的情況下，將略有改進的14nm工藝“重命名”為12nm，這顯然同樣也算是一種“制程造假”。

但當時我們也曾指出，在其他同行紛紛玩“數字游戲”時，只有Intel在堅守半導體制程數字的“良心”。而其這種不吹牛的制程數字標識方式，客觀上也一度讓他們受到了不少不明真相吃瓜群眾的誤解。正因如此，當Intel近日高調宣布啟用全新制程節點命名方式的時候，這一舉動也隨即被許多業內人士解釋為了“劣幣驅逐良幣”，看作是Intel對現有半導體工藝命名不良風氣的“認慫”。

不可否認的是，在公開資料中顯示，Intel此次的“新制程命名方式”的確是對他們此前數代制程工藝的“重命名”。

比如說即將在今年秋季登場的10nm Enhanced Super Fin制程，在新的命名體系里被改名為“Intel 7”。此后，2022年預定接班的7nm EUV制程，則被改名為了“Intel 4”。

到2023年，則將迎來被改名為“Intel 3”的5nm EUV制程。而到了2024年，Intel方面更是會迅速上馬被改名為“Intel 20A（A代表埃米，10埃米為1納米）”的3nm GAA制程。

如果單以數字來看，Intel此次的全新工藝命名方式的確看起來比（原本）實際的工藝節點要小。所以要說新的命名方式有沒有市場宣傳的考量、有沒有受到其他競爭對手的不良影響，顯然是有的。

但如果我們更仔細地去分析Intel這場發布會中的細節就會發現，相比于其他競爭對手，Intel依然還是太“老實”了。

首先，Intel雖然也是對制程進行了“重命名”，但他們并沒有直接采用“7nm”、“4nm”這樣，將制程代號與真實制程寬度混為一談的命名方式。相反，其不僅在新的工藝體系中隱去了代表線寬的“nm”單位，還刻意加上了自家商標以避免混淆。甚至他們還特意說明了“Intel 7”、“Intel 4”分別所對應的真實工藝線寬是多少，而這則是競爭對手并沒有去做的事情。

其次，過去很多人看到Intel長期“堅持”以14nm命名自家的制程，都以為他們真的是一直沒有更新制程工藝。其實這是一個非常大的誤解，因為過去Intel的制程命名方式一直嚴格遵循著摩爾定律的約束。也就是說，只有當新工藝所能實現的晶體管密度，恰好能達到上一個工藝節點數字兩倍甚至更高水平的時候，才會“更新”一次數字。

舉例而言，Intel去年在10代酷睿移動版處理器上使用的第二代10nm制程，晶體管密度就達到了100.8MTr/mm²（百萬晶體管每平方毫米），是Intel初代14nm制程的2.7倍之多。而相比之下，臺積電的第二代7nm制程晶體管密度也才剛剛超過110MTr/mm²，三星的初代5nm制程晶體管密度更是只有112.79MTr/mm²。

換而言之，Intel去年使用的10nm二代工藝，就已經與競爭對手自稱“7nm”甚至“5nm”的水準相當。從這一點來說，Intel將他們未來的第三代10nm工藝僅僅“重命名”為Intel 7，甚至已經可以說是很克制了。

不僅如此，縱觀此次Intel公布的多款“新工藝”不難發現，與其說這是在無奈之下選擇了順應行業慣例，不如說他們反而是借機諷刺了一把行業亂象，并高調宣告了反擊時刻的到來。

比如說大家可能不知道的是，當初臺積電的7nm EUV制程實際上只有一部分加工流程有用到極紫外（EUV）光刻機，并非完全的EUV工藝。而“Intel 7”不僅將會是Intel第一次使用EUV工藝，而且其打算從一開始就直接使用全EUV工藝，這就意味著在一些細節的工藝技術上，甚至已經達到了臺積電和三星5nm的水準。

又比如說大家可能已經注意到，“Intel 7”的接班人被稱作“Intel 4”，而非業界通常認為的“5nm”。這并非Intel有意在吹牛，而是因為“Intel 4”的晶體管密度能夠達到200MTr/mm²甚至250MTr/mm²，遠超出競爭對手5nm節點171.3MTr/mm²的晶體管密度。換而言之，“Intel 4（本質上是Intel的7nm EUV制程）”的性能和技術水平，確實在其他廠商自稱的“5nm”之上。

不僅如此，關注手機行業的朋友可能知道，今年臺積電與三星的5nm制程多少都出現了過熱、性能降低的問題，并導致最終的產品體驗甚至沒有比6nm甚至7nm好多少。但是根據Intel方面的說法，他們不會犯這種錯誤，“Intel 7”的每瓦能效相比現有的第二代10nm制程，就確實能夠提供10%-15%的提升；“Intel 4”的能效比起“Intel 7”，不僅性能可以再上漲20%，同時還會縮小處理器的面積、有效降低成本；而再往后的“Intel 3”，則又會再度帶來18%左右的性能增加，同時不會造成功耗的上漲。

更不用說，Intel還公布了他們原創設計的全新晶體管技術RibbonFET和新的晶體管布線方式PowerVia。其中，前者本質上與臺積電及三星正在研發的3nm GAA晶體管大同小異，但后者就屬于Intel帶來的原創設計了。其將能夠大幅提升晶體管的布局密度，因此Intel才敢將他們2024年的制程命名為“20A”，也就是比（其他家的）“3nm”更加先進的意思。

今年年底的Alder Lake就會是“Intel 7”制程首秀

不難看出，在此次宣布“制程改名”前，Intel實際上是玩了一手韜光養晦。先提前研發好足以用到2025年的一連串先進制程工藝，再通過吸引眼球的“改名”，變相一下子扔出一堆大招。雖然這固然有那么一點點“狡猾”，但不可否認的是，從半導體制程的硬實力上來看，Intel這一輪秀出的技術底蘊及長期的研發能力，還是叫人不得不服的。

本文來自微信公眾號“三易生活”（ID:IT-3eLife），作者：三易菌，36氪經授權發布。